Samsung представила накопитель Z-SSD на 800 ГБ
Во время конференции Cloud Expo Europe в Лондоне компания Samsung продемонстрировала грядущий твердотельный накопитель Z-brand, который поддерживает скоростной слот PCI Express 3.0. Новое запоминающее устройство изначально публично дебютировало во время соглашения о выпуске Flash Memory Summit в августе 2016 года с секретной на тот момент памятью Z-NAND от Samsung, основанной на новейшей технологии V-NAND четвертого поколения. В августе Samsung не представила никаких показателей производительности, связанных с Z-SSD, всё же немного рассказала о новом накопителе в ходе шоу Cloud Expo Europe.
Как отмечается, сначала новинка будет предложена избранным клиентам, при этом объём будет только один – 800 ГБ. Ранее предполагалось, что компания готовит также версии на 1, 2 и 4 ТБ, но это оказалось не так. По крайней мере, пока.
Устройство на 800 ГБ имело полуформальный форм-фактор, построенный для слота PCI Express 3.0, по меньшей мере с четырьмя линиями (PCIe 3.0 x4). Samsung добавил, что латентность будет на 70% ниже, чем у накопителей NVM Express (NVMe). Также обещаны такие характеристики:
- Последовательная скорость чтения: до 3,2 ГБ/сек;
- Последовательная скорость записи: до 3,2 ГБ/сек;
- Производительность случайного чтения: до 750 000 IOPS;
- Производительность случайной записи: до 160 000 IOPS;
При этом, пока никаких подробностей о самой технологии Z-NAND от Samsung не сообщается. Известно лишь, что Z-NAND «достигает максимальной производительности при низкой глубине очереди, обеспечивая лучшую производительность для всех рабочих нагрузок».
При этом, пока не сообщается цена на новый накопитель, однако наверняка она будет немаленькой.
Загрузка ...
